SAT 技術
超音波掃描檢測(SAT,Scanning Acoustic Tomography)是利用超音波,以非破壞方式檢出半導體晶圓、封裝與基板內部空洞(Void)、脫層(Delamination)與裂縫(Crack)的檢測技術。在歐美,同類設備多稱為超音波掃描顯微鏡(SAM)或 C-SAM,物理原理相同。本頁是從半導體量產檢測的角度,整理 SAT 術語、原理、應用與設備型態的技術資料。
本页另有简体中文版。
| 語言 | 量產檢測術語 | 學術與歐美術語 |
|---|---|---|
| 繁體中文 | SAT 檢測、超音波掃描檢測(SAT)、SAT 設備 | 超音波掃描顯微鏡、超音波掃瞄顯微鏡、超音波顯微鏡(SAM、C-SAM;亦常標示為 SAT) |
| 韓文 | 초음파 검사(SAT), SAT 장비, 초음파 검사 장비 | 초음파 현미경, 주사 음향 현미경(SAM) |
| 英文 | scanning acoustic tomography (SAT) | scanning acoustic microscopy (SAM), C-SAM |
| 簡體中文 | 超声波扫描检测(SAT) | 超声波扫描显微镜(SAM) |
| 日文 | SAT、超音波映像装置 | 走査型超音波顕微鏡(SAM) |
SAM、超音波顯微鏡是範圍較廣的說法,也包含材料研究與故障分析用的實驗室儀器。本網站以 SAT 指稱在半導體產線上檢測晶圓與封裝的量產設備。C-SAM 原為特定製造商的產品名稱,後來成為通稱。SAT 一詞源自日系設備名稱,之後在韓國、日本、台灣等地的半導體業界廣為使用。
聚焦式超音波探頭(Probe,亦稱換能器)發出短脈波,再接收樣品內部各介面反射回來的回波(Echo)並形成影像,這種方式稱為脈波回波法(Pulse-Echo)。超音波遇到空氣時幾乎全部反射,無法傳到樣品。因此要在探頭與樣品之間充滿水,讓超音波進入樣品內部,這稱為耦合(Coupling)。
介面兩側材料的聲阻抗差異越大,回波的強度就越大。內部若有空洞或脫層,會形成固體與空氣的介面,產生強反射,且回波的相位會反轉。藉由這種相位反轉,可將缺陷與異物區分。回波返回的時間與深度成正比,因此可利用只擷取特定時間區間的閘門(Gate)設定,僅針對所需深度的介面成像。SAT 名稱中的「斷層成像(Tomography)」即由此而來。
頻率越高,解析度越好,但衰減也越大(大約與頻率的平方成正比),超音波不易深入。因此需依檢測對象選擇探頭。
| 頻率範圍 | 主要對象 | 備註 |
|---|---|---|
| 15 至 50 MHz | 厚封裝、功率模組的 DBC(DCB)與 AMB 基板接合面、封膠較厚的元件 | 穿透較深,適合較大的缺陷 |
| 50 至 120 MHz | 一般封裝(BGA、QFN 等)、基板(載板)、黏晶層(Die Attach) | 量產檢測的主要頻率範圍 |
| 120 至 250 MHz | 晶圓接合介面、高頻寬記憶體(HBM)等薄型堆疊、微凸塊(Micro Bump) | 淺層的微細缺陷 |
| 300 MHz 以上 | 近表面成像、實驗室故障分析 | 偏向分析用途,而非量產全檢 |
MIT Co., Ltd.(Mechatronics Inspection Technology,韓國)的 SFSAT 系列使用 25 至 250 MHz 的探頭。此頻率範圍適用於量產線上的穿透封裝檢測與堆疊結構檢測。
| 缺陷 | 發生位置 | SAT 影像中的特徵 |
|---|---|---|
| 空洞(Void) | 黏晶層、銲料、底部填充膠(Underfill)、封膠材料(EMC)、晶圓接合介面 | 強反射並伴隨相位反轉,在 C-scan 中呈現亮點 |
| 脫層(Delamination) | 晶片與封膠的介面、導線架與封膠的介面、基板與黏著層的介面、堆疊介面 | 面狀的強反射並伴隨相位反轉 |
| 裂縫(Crack) | 晶片、封膠、基板、銲點 | 線狀反射,可用 B-scan 確認深度 |
| 潤濕不良(Non-wet) | 凸塊接合處、銲料接合處 | 接合介面的反射圖形異常 |
| 異物、氣孔 | 封膠、黏著層 | 有反射但無相位反轉(可與空洞區分) |
封裝可靠度評估以 IPC/JEDEC J-STD-035(非氣密塑膠封裝元件的超音波顯微鏡檢測程序)為標準。典型用途是在濕度敏感等級(MSL)試驗前後確認脫層。近年來,檢測對象由封裝擴展到晶圓階段。在晶圓堆疊與鍵合製程中,於整片 300 mm 晶圓上檢測接合介面空洞的需求日益增加。
| 應用領域 | 檢測對象 | 主要缺陷 |
|---|---|---|
| HBM 與堆疊式記憶體 | 堆疊接合介面、微凸塊 | 空洞、潤濕不良(Non-wet)、脫層 |
| 先進封裝 | FC-BGA、2.5D/3D、小晶片(Chiplet) | 底部填充膠空洞、凸塊裂縫、脫層 |
| 功率半導體模組 | DBC(DCB)與 AMB 基板、晶片、底板(Base Plate)之間的接合 | 銲料層與燒結層的空洞(直接影響熱阻與壽命) |
| 晶圓鍵合(晶圓接合) | 晶圓對晶圓(W2W)、晶粒對晶圓(D2W)的接合介面 | 接合空洞、異物 |
| 基板、積層陶瓷電容(MLCC)、Mini LED | 陶瓷基板、積層陶瓷、LED 封裝 | 內部裂縫、脫層 |
上述應用領域與業務領域的「超音波檢測(SAT)」頁面的解決方案分類相同。
| 項目 | 實驗室型(手動、半自動) | 全自動線上型(In-line) |
|---|---|---|
| 用途 | 故障分析、研究、樣品檢測 | 量產線的全檢與抽檢 |
| 上料方式 | 由專業人員放置樣品 | 由上料機(Loader)與搬送機構(Handler)將晶圓與料盤(Tray)自動上料 |
| 判定 | 由專業人員判讀影像 | 自動判定(深度學習等)、分類、SECS/GEM 資料連線 |
| 核心性能 | 解析度、影像品質 | 產能(Throughput,每小時檢測片數)、判定可靠度、產線整合 |
| 探頭配置 | 通常為 1 支 | 以多支探頭同時掃描(多探頭)確保產能 |
產能會隨掃描間距與配置(探頭數量、檢測區數量)而不同,因此比較設備時,應在相同間距、相同配置的條件下比較。
本公司的 SFSAT 系列是全自動線上型設備,每個檢測區由多支探頭同時掃描,檢測區可擴充至 2 個以上。設備具備以深度學習為基礎的自動判定、即時翹曲(Warpage)補償(±3 mm)、最高 1,200 mm/s 的掃描速度,以及自行開發的 SECS/GEM 軟體。
相關頁面:SFSAT 系列產品頁面
傳統上採用將樣品浸入水槽的方式(水浸式)。對水分敏感的先進製程,則採用不將樣品浸入水槽、只讓水流經檢測部位的方式,盡量減少與水的接觸。結合瀑布式(Waterfall)與氣泡捕集(Bubble Trap)的方式即為一例。本公司設備採用不將樣品浸入水槽的方式,盡量減少與水的接觸。
| 項目 | SAT(超音波) | X 光(X-ray)與 CT | 紅外線(IR、SWIR) |
|---|---|---|---|
| 觀察對象 | 介面狀態、彈性特性 | 密度差異、形狀 | 穿透矽的光學影像 |
| 擅長 | 對薄的脫層與空氣層(次微米)靈敏度高;適合量產線的線上型(In-line)檢測 | 線路與凸塊形狀;CT 可呈現 3D 結構 | 非接觸;鍵合後即可高速檢測大型空洞 |
| 限制 | 需要以水耦合;上層缺陷會遮蔽下層 | 對薄脫層與空氣層較不敏感;CT 檢測時間較長 | 深層微細缺陷的解析度有限;不適用於不透光材料 |
在實際生產現場,各種檢測方法互補使用。